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電子ビーム描画装置(CRESTEC) (Electron Beam Lithography System （CRESTEC）)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 産業技術総合研究所 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | クレステック (CRESTEC) |
| 型番 | CABL_9410TFNA |
| 設備名称 | 電子ビーム描画装置(CRESTEC) (Electron Beam Lithography System （CRESTEC）) |
| 装置スペック | ・型式:CABL-9410TFNA ・試料サイズ:6インチφ×4.6 mm(高さ) ・電子銃:熱電界放射型ZrO/Wエミッタ ・最小スポット:2 nmφ(加速電圧50 kV) ・描画可能な最小線幅:10 nm(レジスト膜厚100 nm) ・走査方式:ベクター走査、ラスター走査 ・走査領域:最大1 mm□ ・つなぎ合わせ描画領域:最大150 mm□ ・つなぎ合わせ精度:50 nm以下 ・重ね合わせ精度:50 nm以下 |
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