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反応性イオンエッチング装置 (RIE) (Reactive Ion Etching System（RIE）)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 産業技術総合研究所 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | サムコ (Samco) |
| 型番 | RIE-200L |
| 設備名称 | 反応性イオンエッチング装置 (RIE) (Reactive Ion Etching System（RIE）) |
| 装置スペック | ・型式:RIE-200L ・試料サイズ:8インチφ, 8mmt ・高周波電源:最大300 W（13.56 MHz） ・RF制御:インピーダンスオートマッチング ・電極:セミ無遮蔽型電極、上部Al電極、下部SUS電極電極 ・電極間隔:55 mm ・使用ガス:SF6, CF4, O2 ・パージガス:N2ガス |
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