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多目的エッチング装置(ICP-RIE) (ICP Reactive Ion Etching System（ICP-RIE）)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 産業技術総合研究所 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | サムコ (Samco) |
| 型番 | RIE-101iPHS-L |
| 設備名称 | 多目的エッチング装置(ICP-RIE) (ICP Reactive Ion Etching System（ICP-RIE）) |
| 装置スペック | ・型式:RIE-101iPHS-L ・試料サイズ:4インチφ, 5mmt ・放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP) ・ICP高周波電源: 最大500W（13.56 MHz） ・バイアス高周波電源: 最大200W（13.56 MHz） ・試料導入方式: ロードロック式 ・試料温度制御: -18℃～常温 ・使用ガス: SF6, CHF3, CF4, Ar, O2 |
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