デバイス >
スパッタ成膜装置(芝浦） (Sputtering System（Shibaura）)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 産業技術総合研究所 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA) |
| 型番 | i-Miller |
| 設備名称 | スパッタ成膜装置(芝浦） (Sputtering System（Shibaura）) |
| 装置スペック | ・型式:CFS-4EP-LL、i-Miller ・試料サイズ:8インチφ, 5mmt ・スパッタ源:3インチマグネトロン方式×3式 ・高周波電源:最大出力500 W(使用最大200 W) ・RF制御:自動制御 ・逆スパッタリング:200W ・試料搬送:ロードロック室付 ・基板テーブル:回転機構付 ・ターゲット-基板間:85 mm ・加熱温度:最大300 ℃ ・膜厚分布:±5%以内@膜厚2～3 kÅ、SiO2成膜時、170 mmφ内 ・到達真空度:2×10-4 Pa ・反応ガス:Ar, O2, N2 ・成膜時ガス圧:0.2～1 Pa ・常備ターゲット:金属・酸化物・窒化物等、60種 |
この設備情報の修正依頼
掲載内容に不備がある場合、情報が古い場合などはこちらから修正の報告をお願いします。