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原子層堆積装置_1[FlexAL] (Atomic Layer Deposition_1〔FlexAL〕)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 産業技術総合研究所 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma) |
| 型番 | FlexAL |
| 設備名称 | 原子層堆積装置_1[FlexAL] (Atomic Layer Deposition_1〔FlexAL〕) |
| 装置スペック | ・型式:FlexAL ・試料サイズ:8インチφ ・基板温度:100-550℃ ・プラズマALD:600W（誘導結合型） ・基板バイアス:100W ・反応ガス:H2O, O2, N2, H2, NH3 ・材料ポート:8ポート ・常備材料ガス:TMA, DEZn, 3DMAS, TTIP, TDMATi, TBTDMTa, TEMAHf, Ru(EtCp)2, TBTDEN, TEMAZr, TDMAHf ・キャリアガス:Ar ・膜厚計測用 in-situ 分光エリプソ |
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