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プラズマCVD薄膜堆積装置（SiN） (Plasma-assisted CVD (SiN))
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 産業技術総合研究所 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | サムコ (Samco) |
| 型番 | PD-220SN |
| 設備名称 | プラズマCVD薄膜堆積装置（SiN） (Plasma-assisted CVD (SiN)) |
| 装置スペック | ・型式:PD-220NS ・試料サイズ:8インチ ・成膜種:SiO2, Si3N4 ・電極間隔:25mm (上部電極:Al製、下部電極:SUS製) ・高周波電源:300W（13.5MHｚ） ・ステージ加熱:350℃（抵抗加熱方式 ） |
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