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化合物半導体エッチング装置（ICP-RIE） (ICP-RIE (Compound Semiconductors))
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 産業技術総合研究所 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | サムコ (Samco) |
| 型番 | RIE-400iPS |
| 設備名称 | 化合物半導体エッチング装置（ICP-RIE） (ICP-RIE (Compound Semiconductors)) |
| 装置スペック | ・型式:RIE-400iPS ・試料サイズ:４インチ ・放電方式:誘導結合式プラズマ(ICP) ・試料導入方式:ロードロック式 ・高周波電源:最大500W （13.56MHz） ・バイアス高周波電源:最大300W（13.56MHz） ・使用ガス:Cl2、BCl3、HBr、Ar、O2、CF4、SF6 |
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