デバイス >
赤外線ランプ加熱炉（RTA） (RTA Furnace)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 産業技術総合研究所 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | アドバンス理工 (ADVANCE RIKO) |
| 型番 | RTP-6S |
| 設備名称 | 赤外線ランプ加熱炉（RTA） (RTA Furnace) |
| 装置スペック | ・型式:RTP-6S ・試料サイズ:小片～4インチφ ・到達真空度:-4乗Pa台 ・加熱方式: 試料上面より放物面反射赤外線輻射加熱方式 ・加熱制御方式:プログラム起電力比較クローズドループ・コントロール方式(PID3項制御) ・加熱範囲:150 mmφ ・温度範囲:RT～1000℃ ・最大加熱速度:20℃/sec(SiCサセプタ使用時は10℃/sec) ・均熱精度:ΔT=10℃(@700℃保定時 N2ガスフロー中) ・温度センサ:熱電対(シースR熱電対) ・雰囲気 ガス:N2, Ar, O2 |
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