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高速電子ビーム描画装置（エリオニクス） (Electron Beam Lithography System (Elionix))
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 産業技術総合研究所 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | エリオニクス (ELIONIX) |
| 型番 | ELS-F130AN |
| 設備名称 | 高速電子ビーム描画装置（エリオニクス） (Electron Beam Lithography System (Elionix)) |
| 装置スペック | ・型式:LS-F130AN ・試料サイズ:～12インチφ、9インチ□のマスクブランクス ・電子銃:ZrO/W熱電界放射型 ・加速電圧:130kV, 100kV, 50kV, 25kV ・最小ビーム径:1.7nm (@ 130kV) ・最小描画線幅:5nm (@ 130kV) ・最大スキャンクロック:100MHz ・ビーム電流強度:5pA～100nA ・フィールドサイズ:100μm □、250μm□、500μm□、1000μm□(100kV以下)、1500μm□(50kV以下)、3000μm□ (25kV以下) ・ビームポジション:1,000,000×1,000,000 (20bit DAC) ・位置決め分解能:0.1nm ・つなぎ精度:±10nm ・重ねあわせ精度:±15nm ・描画可能エリア:210mm×210mm |
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