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RF-DCスパッタ成膜装置（芝浦） (RF-DC Sputter Deposition Equipment（Shibaura）)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 産業技術総合研究所 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA) |
| 型番 | i-Miller |
| 設備名称 | RF-DCスパッタ成膜装置（芝浦） (RF-DC Sputter Deposition Equipment（Shibaura）) |
| 装置スペック | ・型式:CFS-4EP-LL、i-Miller ・試料サイズ:8インチ ・スパッタ源:3インチマグネトロン×3式 ・スパッタ方式:直流スパッタ、高周波スパッタ ・基板テーブル:回転機構付 ・逆スパッタ:200W ・ターゲット-基板間距離:82 mm ・基板加熱:なし ・膜厚分布:±5%以内@膜厚～600nm(SiO2、170 mmφ) ・到達真空度:10-5 Pa台 ・スパッタガス:Ar、O2、N2 ・成膜時ガス圧(標準):0.5Pa ・常備ターゲット:Al, Al2O3, Au, Cr, Cu, Nb, Pt, SiO2, Ta, Ta2O5, Ti, TiN, TiO2, W |
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