デバイス >
Ｓｉ深堀エッチング装置〔PlasmaPro_100〕 (Si Deep RIE)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 産業技術総合研究所 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma) |
| 型番 | PlasmaPro_100_Cobra |
| 設備名称 | Ｓｉ深堀エッチング装置〔PlasmaPro_100〕 (Si Deep RIE) |
| 装置スペック | ・型式:PlasmaPro_100_Cobra ・試料サイズ:4インチφ ・放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP) ・ICP高周波電源: 3kW（2 MHz） ・バイアス高周波電源: 300W（13.56MHz）、最小 15W ・試料導入方式: ロードロック式 ・試料温度制御 ・使用ガス: CF4, CHF3, SF6, C4F8, O2, Ar |
この設備情報の修正依頼
掲載内容に不備がある場合、情報が古い場合などはこちらから修正の報告をお願いします。