デバイス >
レーザー描画装置〔DWL66+〕 (Laser Beam Lithography)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 産業技術総合研究所 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | ハイデルベルグ (Heidelberg Instruments) |
| 型番 | DWL66+ |
| 設備名称 | レーザー描画装置〔DWL66+〕 (Laser Beam Lithography) |
| 装置スペック | ・型式:DWL66+ ・試料サイズ:8インチφ、200mm×200mm×12mmt ・最小角型試料サイズ： 5mm×5mm ・描画エリア:200mm×200mm ・レーザー光源:405nm ・最小描画パターン:0.5μm （L&S）、0.3μm（孤立パターン） ・重ね合わせ描精度:0.25μm(5mm×5mm以内)、0.5μm(100mm×100mm以内) ・裏面パターンとの重ね合わせ精度：1μm ・グレースケール露光:1000階調 |
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