TEM用ハイスループットイオン研磨システム
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 東京大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | 顕微鏡 > 試料加工装置 |
| 製造元 | gatan |
| 型番 | PIPS II |
| 設備名称 | TEM用ハイスループットイオン研磨システム |
| 装置スペック | 【特長】ハイスループットイオン研磨システムの試料ホルダー より試料を取り外すことなく既設装置である イオンスライサーに搭載可能であること。 【仕様】 本体 ミリングアングル -10°～+10° 調整可能 イオンエネルギー 100 eV ～8 keV イオン電流密度 1イオン銃あたり 10 mA/cm2 試料回転 1～6 rpm まで可変 X,Y可動範囲 ±0.5 mm 冷却ステージ デュアーの保持時間 約6～7時間 ヒーター1 ステージの温度調整用 (-120°C～+25°C) ヒーター2 冷却したステージを室温戻し用 温度領域 -120°C～室温 試料冷却 -120°Cまで可能 |
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