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川崎ブランチ化合物用エッチング装置 (Inductively Coupled Plasma (ICP) Dry Etching System, )
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 東京大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | オックスフォード・インストゥルメンツ (Oxford Instruments) |
| 型番 | Plasma Pro 100 ICP-180 |
| 設備名称 | 川崎ブランチ化合物用エッチング装置 (Inductively Coupled Plasma (ICP) Dry Etching System, ) |
| 装置スペック | 誘導結合プラズマ（ICP）によるエッチング装置です。 化合物半導体基板（GaAs,InP,GaN等）を得意とします。4”丸型ウエーハ導入可能。 導入ガス種：Ar,O2,H2,CH4,N2,Cl2,SF6,He |
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