デバイス >
高速シリコン深掘りエッチング装置 (Ultra Rapid Silicon Deep Reactive Ion Etching Machine)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 東京大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | SPTS |
| 型番 | MUC-21 ASE-Pegasus |
| 設備名称 | 高速シリコン深掘りエッチング装置 (Ultra Rapid Silicon Deep Reactive Ion Etching Machine) |
| 装置スペック | 高密度プラズマにより（ICPパワー3kWまで。1800W常用）、低ダメージ、高速にてエッチングが可能です。（例：当方のEBレジストを用い、scalloping100nm程度で100μm開口トレンチ20分エッチングで135μm）4”装置 100nmクラス開口特殊レシピ有。また、SF6による「ドライリリース」や、C4F8による酸化膜エッチングなど、組み合わせで便利に使えるレシピも利用できます。 |
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