デバイス >
LL式高密度汎用スパッタリング装置(2024)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 東京大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | 芝浦メカトロニクス |
| 型番 | CFS-4EP-LL !-Miller (2024) |
| 設備名称 | LL式高密度汎用スパッタリング装置(2024) |
| 装置スペック | 真空引きが速く、通常10分程度でスパッタリング開始が可能。また、膜質の安定も期待できる。ターゲットはCFS-4ESと共通。 デフォルトはPt/Au/Cr/Tiを装着。それ以外のターゲットは支援員の技術補助で交換を行う。UT-711と互換。 サイドスパッタ方式、スパッタターゲット：3inchx3、ホルダーサイズ：Φ220mm、到達圧力：5x10E-4 Pa以下、RF50W(DC)、加熱温度：最大300℃ |
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