デバイス >
ウエーハレベルボンディング装置SB8 Gen2
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 東京大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | ズースマイクロテック |
| 型番 | SB8 Gen2 |
| 設備名称 | ウエーハレベルボンディング装置SB8 Gen2 |
| 装置スペック | ウエーハ同士を接合する装置。位置合わせはマスクアライナーMA6（UT-504）で行う。MEMSプロセスや三次元配線形成に用いられる装置。 最大加熱温度：550℃、温度均一性：±1.5℃ 温度再現性：±3℃、最大加熱速度：30K/分 最大冷却速度：25K/分、最大加圧力：20kN 圧力均一性：±2% |
この設備情報の修正依頼
掲載内容に不備がある場合、情報が古い場合などはこちらから修正の報告をお願いします。