デバイス >
原子層堆積装置 (Atomic layer deposition：ALD)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 豊田工業大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | Ultratech/Cambridge Nano Tech (Ultratech/Cambridge Nano Tech) |
| 型番 | Fiji F200 |
| 設備名称 | 原子層堆積装置 (Atomic layer deposition：ALD) |
| 装置スペック | 成膜する試料は、基板表面に蒸気圧の高い物質が露出していないことが条件。 半導体デバイスのパッシベーションに用いており、汚染を防ぐためであり、ご理解をお願いします。 |
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