デバイス >
超高精細電子ビームリソグラフィー装置?(Ultra high definition electron beam lithography system)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 大阪大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | エリオニクス |
| 型番 | ELS-100T |
| 設備名称 | 超高精細電子ビームリソグラフィー装置?(Ultra high definition electron beam lithography system) |
| 装置スペック | 【特徴】 最小ビーム径φ2nmにて線幅10nm以下の細線描画が可能。 【仕様】 描画最小線幅：5nm 繋ぎ重ね精度：15nm以下 電子銃：ZrO／Ｗ熱電界放射型 描画方式：ベクタースキャン方式 加速電圧：125kV, 100kV, 75kV, 50kV 描画フィールド：75?m□～2400?m□ 最大試料サイズ：6inch |
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