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高速大面積電子ビームリソグラフィー装置?(High speed and large area electron beam lithography system)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 大阪大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | エリオニクス |
| 型番 | ELS-S50LBC |
| 設備名称 | 高速大面積電子ビームリソグラフィー装置?(High speed and large area electron beam lithography system) |
| 装置スペック | 【特徴】 加速電圧50kVで1?Aのビーム電流が得られる。最高クロック周波数100MHzの高速ビーム変更システムを搭載し、大面積を高スループットで描画することに特化。 【仕様】 電子銃：ZrO/W熱電界放出型（TFE） 描画方式：ベクタースキャン方式 加速電圧：20, 30, 50kV ビーム電流：100pA～1?A 描画フィールド：100?m□～3000?m□ 試料サイズ：10～25mm□、3インチ□、4インチ・6インチφウエハ |
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