デバイス >
深掘りエッチング装置?(Deep etching system)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 大阪大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | サムコ |
| 型番 | RIE-400iPB-NP |
| 設備名称 | 深掘りエッチング装置?(Deep etching system) |
| 装置スペック | 【特徴】 誘電結合方式（ICP）を採用したボッシュプロセス対応の高速シリコンディープエッチング装置。1分間に10μm以上のSiエッチングが可能。MEMS、電子部品等に求められるシリコンの高速かつ高異方性エッチングに対応。 【仕様】 試料サイズ：max 4inch プロセスガス：CF4, C4F8, CHF3, SF6, O2, Ar |
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