デバイス >
リアクティブイオンエッチング装置?(Reactive ion etching system)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 大阪大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | サムコ |
| 型番 | RIE-10NOU |
| 設備名称 | リアクティブイオンエッチング装置?(Reactive ion etching system) |
| 装置スペック | 【特徴】 Si、Poly-Si、SiO2、Si3N4などの各種シリコン薄膜の高精度エッチングを目的としたRIE（リアクティブイオンエッチング）装置 【仕様】 試料サイズ：max 8 inch プロセスガス：CF4, O2, Ar, CHF3 |
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