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誘導結合型RFプラズマ支援スパッタ装置（ICP-RFスパッタ装置）?(RF-Sputtering System with Inductively Coupled Plasma )
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 大阪大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | アルバック |
| 型番 | MB02-5002 |
| 設備名称 | 誘導結合型RFプラズマ支援スパッタ装置（ICP-RFスパッタ装置）?(RF-Sputtering System with Inductively Coupled Plasma ) |
| 装置スペック | 【特徴】 誘導結合型RFプラズマ支援ヘリコン型スパッタ装置です。 隔膜式真空計を備えており、プロセスガス圧の高度な制御が可能です。 【仕様】 ターゲットサイズ：2inch 利用可能なターゲット：Au,Pt,Al2O3,SiO2,ITOなど（使用ごとに交換必要） プロセスガス：Ar,O2 基板加熱温度：800℃ ターゲット基板間距離：200mm |
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