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自動制御型パルスレーザ蒸着ナノマテリアル合成装置?(Automatic pulsed laser deposition nano-materials synthesis system)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 大阪大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | パスカル |
| 型番 | MC-LMBE |
| 設備名称 | 自動制御型パルスレーザ蒸着ナノマテリアル合成装置?(Automatic pulsed laser deposition nano-materials synthesis system) |
| 装置スペック | 【特徴】 スキャニングRHEEDと2つのコンビナトリアルマスクを用いて、成長を原子レベルで制御しながら、一枚の基板上に異なる条件の試料を一括作製することが可能です。 【仕様】 レーザー波長：193nm(ArF) レーザー周波数、エネルギー：1～20Hz、最大240mJ 試料サイズ：10mm×10mm 真空度：10-7Pa台 雰囲気ガス：O2（0.02～20Pa) 基板加熱温度：1200℃ RHEED最大加速電圧：30kV |
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