デバイス >
連続発振レーザアニール装置（レーザ結晶化装置）?(CW OSC Laser annealing (Laser crystallization))
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 広島大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | (自作)?() |
| 型番 | (自作) |
| 設備名称 | 連続発振レーザアニール装置（レーザ結晶化装置）?(CW OSC Laser annealing (Laser crystallization)) |
| 装置スペック | レーザ出力：0.24 ～ 10.0 W、 レーザ径：1.15 mm×50μm (ラインビーム)、 スキャン速度：0.1 ～ 10 cm/s |
この設備情報の修正依頼
掲載内容に不備がある場合、情報が古い場合などはこちらから修正の報告をお願いします。