デバイス >
常圧SiO2CVD装置?(Atmospheric pressure CVD reactor for SiO2 deposition)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 広島大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | 天谷製作所?(Amaya Co., Ltd.) |
| 型番 | M01 |
| 設備名称 | 常圧SiO2CVD装置?(Atmospheric pressure CVD reactor for SiO2 deposition) |
| 装置スペック | 基板温度400℃、PおよびBドープ可能 |
この設備情報の修正依頼
掲載内容に不備がある場合、情報が古い場合などはこちらから修正の報告をお願いします。