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デュアルイオンビ－ムスパッタ装置 (Dual ion beam sputtering system)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 香川大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | ハシノッテク (Hashino-tech) |
| 型番 | 10W-IBS |
| 設備名称 | デュアルイオンビ－ムスパッタ装置 (Dual ion beam sputtering system) |
| 装置スペック | 4in-IBS 熱陰極型イオン源:2 (:50～1000eV） 基板加熱温度:最大700゜C 膜形成中のイオン同時照射機能 イオンビ－ムエッチング機能 【ビームガン1：エッチング用】 イオン銃：熱陰極型 イオン化ガス：Ar ビーム電圧：100～1200V ビーム電流：50～300mA 加速電圧：75～500V イオン流密度：0.3～0.6mA/cm2 (500V加速時) ビーム有効径：φ4イン (分布測定可能) 真空度：～8ｘ10-5Pa 試料寸法：φ4インチまで 【ビームガン2：デポジション用】 イオン銃：熱陰極型 イオン化ガス：Ar ビーム電圧：100～1200V ビーム電流：50～300mA 加速電圧：75～500V ターゲット：Au、Cr、Tiほか ステージ角度：ターゲットに対し-90～+90℃設定可 ステージ位置：上下50mm調整可 真空度：～8ｘ10-5Pa 試料寸法：φ4インチまで |
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