電界放出型電子プローブマイクロアナライザ
学内学外とも共用
| 設置機関 | 東北大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | 産学連携先端材料研究開発センター |
| 設備分類 | 表面分析 > EPMA |
| 製造元 | 日本電子 |
| 型番 | JXA8530F |
| 設備名称 | 電界放出型電子プローブマイクロアナライザ |
| 装置スペック | 電子像観察、定性分析、定量分析、元素分布観察、定量マッピング、相分析 ・ 加速電圧： 1～30ｋV、二次電子分解能：3nm、倍率：×40～×300,000 ・ 分析元素範囲： B～U 、X線分光範囲WDS： 0.087～9.3nm、EDSエネルギーレンジ： 20ｋV ・ 相分析プログラム： 波形分離、相分布、任意曲面マップ、粒子計測 【軟X線分光器 SXES日本電子（?）製SS-94000SXES について】 ・取得エネルギー範囲：50-200eVを含む範囲以上。 ・エネルギー分解能は、0.35eV 以下（Al-L 発光スペクトル＠73eV 25%-75%高さでのエ ネルギー幅） ・不等間隔回折格子（2種類）であり、それぞれの回折格子毎の分光範囲を同時に計 測できること。 １．エネルギー領域50-160eV 入射角4.0°1200l/mm(Auレプリカ) ２．エネルギー領域80-200eV 入射角3.0°1200l/mm(AuレプリカNiコート) 軟X線分光器（オプション）により、これまで検出が困難であったLiなどの軽元素が検出できるようになると共に、EPMAのWDS機能との併用により、ワンストップでの組成解析が可能。軽元素の状態マッピングに威力を発揮する。 |
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