デバイス >
芝浦スパッタ装置（加熱型） (Shibaura sputtering (Heating))
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 東北大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | 芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics) |
| 型番 | CFS-4ESII |
| 設備名称 | 芝浦スパッタ装置（加熱型） (Shibaura sputtering (Heating)) |
| 装置スペック | サンプルサイズ：小片～6インチ サンプルステージ：直径200mm 基板温度：室温～300℃ 電源：RF×1 ターゲット：3インチ×3 方式：スパッタSIDE 到達真空度：3E-4Pa |
この設備情報の修正依頼
掲載内容に不備がある場合、情報が古い場合などはこちらから修正の報告をお願いします。