デバイス >
SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 物質・材料研究機構 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | サムコ (samco) |
| 型番 | PD-220NL |
| 設備名称 | SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL] |
| 装置スペック | ・用途：PECVDによるSiO2, SiNの薄膜形成 ・プラズマ方式：平行平板型 ・電源出力：30-300W ・原料：TEOS (SiO2), SN-2 (SiN) ・成膜温度：400度以下 ・最大試料サイズ：φ8inch |
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