デバイス >
ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 物質・材料研究機構 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | サムコ (samco) |
| 型番 | RIE-101iPH |
| 設備名称 | ICP-RIE装置 [RIE-101iPH] |
| 装置スペック | ・用途：化合物半導体のドライエッチング ・金属薄膜のドライエッチング ・プラズマ励起方式：誘導結合型 ・電源出力：ICP出力：最大1kW／バイアス出力：最大300W ・プロセスガス：Cl2，BCl3，Ar，O2，N2 ・試料ステージ温度：200度以下 ・最大試料サイズ：φ4inch |
この設備情報の修正依頼
掲載内容に不備がある場合、情報が古い場合などはこちらから修正の報告をお願いします。