デバイス >
ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 物質・材料研究機構 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products) |
| 型番 | MUC-21 RV-APS-SE |
| 設備名称 | ICP-RIE装置 [RV-APS-SE] |
| 装置スペック | ・用途：SiC，SiN，SiO2等の高速エッチング ・プラズマ励起方式：誘導結合型 ・電源出力：ICP出力：最大3kW／バイアス出力：最大1kW ・プロセスガス：CHF3，CF4，C4F8，SF6，Ar，O2，He ・試料ステージ温度：-10～+40度 ・最大試料サイズ：φ6inch ・その他：SiO2エッチングレート：0.5μm/min以上，終点検出機能装備 |
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