デバイス >
赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]?
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 物質・材料研究機構 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | アドバンス理工 |
| 型番 | RTP-6 |
| 設備名称 | 赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]? |
| 装置スペック | ・用途：多目的熱処理プロセス ・加熱方式：赤外線ランプによる上部片面加熱 ・プロセス温度：1200℃以下 ・昇温速度：10℃/秒以下 ・プロセスガス：N2,O2,Ar+3%H2 ・最大試料サイズ：φ6inch ・その他：タッチパネル操作系 |
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