デバイス >
赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 物質・材料研究機構 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | アドバンス理工 |
| 型番 | RTP-6 |
| 設備名称 | 赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1] |
| 装置スペック | ・温度範囲：室温～1000℃ ・加熱方式：赤外ゴールドイメージ炉、９ゾーン制御 ・加熱性能：最大 10℃/s ・プロセスガス：N2, Ar+H2(3%), Ar, O2, 真空置換機能あり ・試料台材質・サイズ：SiCコートグラファイト、６インチφ または Si、６インチ |
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