デバイス >
ダイヤモンド用ICPリアクテブイオンエッチング装置 (ICP Reactive ion etcher for diamond)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 東京科学大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | サムコ |
| 型番 | ICP-400iP |
| 設備名称 | ダイヤモンド用ICPリアクテブイオンエッチング装置 (ICP Reactive ion etcher for diamond) |
| 装置スペック | ダイヤモンドやシリコン、SiO2などを高密度プラズマでエッチングする装置です。また、屈折率差がある材料であれば、終点検知も可能です。最大４インチ, ２インチ以下なら不定形基板の取り扱いができます。ガス種：CHF3, O2, CF4 |
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