デバイス >
ICP装置(シリコン深掘り装置)
学内学外とも共用
| 設置機関 | 東海国立大学機構・名古屋大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | 工学研究科 |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | 住友精密工業株式会社 |
| 型番 | Multiplex-ASE-LS |
| 設備名称 | ICP装置(シリコン深掘り装置) |
| 装置スペック | 加工対象：Si，SOI 加工サイズ：3 or 4 inch プロセスガス：SF6, C4F8,He 加工速度：最大6 μm/min 最大アスペクト比：60 |
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