デバイス >
スパッタリング装置
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 東海国立大学機構・名古屋大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | 工学研究科 |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | キャノンアネルバ |
| 型番 | E-200S |
| 設備名称 | スパッタリング装置 |
| 装置スペック | ターゲット：SiO2，Cr，Au 膜厚分布：Φ100 mm内±3％ 基板ホルダー：Φ200 mm 基板加熱：Max 300℃（水冷付） |
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