デバイス >
ドライエッチング装置 (Capacitive Coupled Plasma Reactive Ion Etcher)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 京都大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | サムコ(株) (Samco Inc.) |
| 型番 | RIE-10NR-KF |
| 設備名称 | ドライエッチング装置 (Capacitive Coupled Plasma Reactive Ion Etcher) |
| 装置スペック | 汎用的な平行平板型反応性イオンエッチング装置。 ・基板サイズ：MAX Φ8 ・プロセスガス：CHF3、CF4、Ar、O2 ・用途： SiO2、SiN、アッシング ほか |
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