デバイス >
赤外線ランプ加熱装置 (Rapid Thermal Annealing System)
学内学外とも共用
マテリアル先端リサーチインフラ
| 設置機関 | 京都大学 |
|---|---|
| 研究科・学部 | |
| 設備分類 | デバイス > |
| 製造元 | アドバンス理工(株) (ADVANCE RIKO, Inc.) |
| 型番 | RTP-6 |
| 設備名称 | 赤外線ランプ加熱装置 (Rapid Thermal Annealing System) |
| 装置スペック | 赤外線ランプを用いた汎用的な急速アニール装置。 ・基板サイズ：MAXΦ6 ・温度：RT～1100℃ ・雰囲気：各種ガス（N2、Ar、H2/4%）、真空、大気 |
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